2张诉中临时禁令+2份胜诉判决，英诺赛科赢得起诉英飞凌专利侵权两案的历史性重大胜诉

　　· 苏州中院正式判决英飞凌侵犯英诺赛科2件核心发明专利，英诺赛科一次性赢得两案全部胜诉

　　· 苏州中院针对英飞凌一次性发出2张诉中临时禁令裁定并立即生效，且最高院已正式复议裁定维持苏州中院的2张诉中临时禁令

　　2026年6月12日，最高人民法院正式发出2份诉中临时禁令复议裁定书，裁定维持苏州中院于2026年5月27日针对英飞凌一次性发出并于送达当日立即生效的2张诉中临时禁令，英飞凌无法再对最高院的这2份复议裁定书继续上诉，意味着英诺赛科赢得起诉英飞凌专利侵权两案的历史性重大胜诉，对英飞凌的专利侵权行为带来核弹级的打击和震慑，有力地保护了英诺赛科的高质量原创性GaN功率半导体技术创新成果，捍卫了中国第三代半导体行业的科技创新自立自强。

　　其实，早在2026年5月27日，苏州中院就已经针对英诺赛科起诉英飞凌发明专利侵权两案做出英诺赛科全面胜诉的两份判决书并送达双方当事人，苏州中院经审理认定，英飞凌侵犯英诺赛科的两项氮化镓核心发明专利，并判令英飞凌立即停止侵权并赔偿英诺赛科损失两案合计1000万元。随同这两份判决书同时送达双方当事人的，是苏州中院针对英飞凌一次性发出的两案2张诉中临时禁令裁定并立即生效。英飞凌随即针对2份诉中临时禁令裁定向最高人民法院提起复议，直至今天最高人民法院正式发出2份诉中临时禁令复议裁定书，明确维持苏州中院的2份诉中临时禁令，这也正式宣告了英诺赛科的历史性、史诗级的专利维权胜利。两案诉中临时禁令与两案胜诉判决共同形成了对英诺赛科核心发明专利权的有力保护。

　　两案所涉专利围绕GaN功率器件的关键结构及制备技术，是英诺赛科长期自主研发与持续技术积累的重要科技创新成果。两案诉中临时禁令自2026年5月27日送达并立即生效后，英飞凌立即无法在中国大陆境内实施包括销售、许诺销售、进口相关侵权产品等在内的侵权行为。

　　此次胜利是英诺赛科在全球GaN功率半导体行业竞争中的关键突破，是对英飞凌此前在美国、德国发起的一系列无理诉讼围剿的沉重打击和有力回应，更是中国第三代半导体行业科技创新自立自强的集体胜利。作为GaN功率半导体的全球技术领导者，英诺赛科长期积累形成的自主知识产权应当受到充分尊重和严格保护。英诺赛科将继续坚持自主创新，依法维护自身核心技术成果与合法权益，坚决捍卫公平竞争的市场秩序，坚定维护中国第三代半导体行业的生存发展空间。

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