4月25日上午，最高院公开开庭审理上诉人英特尔（中国）有限公司（以下简称英特尔公司）与被上诉人国家知识产权局及一审第三人中国科学院微电子研究所（以下简称中科院微电子所）发明专利权无效行政纠纷一案。这也是今年最高院知识产权法庭“4·26集中公开开庭周”的第一场庭审。
六次无效挑战均失利，FinFET专利仍有效
中科院微电子所与英特尔公司的专利纠纷开始于2018年，先后经历了民事诉讼、专利无效、行政诉讼，双方的交锋还在继续。
2018年2月，中科院微电子所起诉英特尔公司、Dell公司、北京京东公司侵害其发明专利权，北京高院于2018年3月立案。中科院微电子所诉称，英特尔公司酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET（FinField-EffectTransistor）发明专利，专利申请号为201110240931.5，要求英特尔公司停止侵权，赔偿至少2亿元人民币，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。
2018年3月，英特尔公司针对931.5号FinFET专利首次向国知局专利复审委提出无效宣告请求，截止到目前，英特尔公司进行了6次专利无效的尝试，但结果并不遂其心愿。
2019年1月31日，国知局发布第38936号无效宣告请求审查决定书，决定维持专利权有效。关于新颖性部分，合议组认为，“理解现有技术公开的技术方案，应当从本领域技术人员的立场出发，根据现有技术整体所记载的内容，确定其实际公开的技术内容；尤其应当避免在已知本专利的技术内容后，将本专利的内容带入到现有技术中，从而导致对现有技术的误读”。关于创造性，合议组审理后，分别以英特尔公司提交的3份对比文件作为最接近的现有技术对931.5号FinFET专利进行创造性评价，并就能否结合进行审理，认为“两篇现有技术之间是否能够结合，应当站位于本领域技术人员，从两篇现有技术的整体出发，根据二者涉及的技术领域、解决的技术问题、采用的技术方案及其技术效果，判断本领域技术人员是否能从这两篇现有技术中获得结合的启示”。最终维权专利全部有效。
2020年8月27日，国知局发布第46689号无效宣告请求审查决定书，宣告部分专利无效，201110240931.5号发明专利的权利要求8、10、14无效，在权利要求1-7、9、11-13的基础上继续维持该专利有效。决定要点为：权利要求的保护范围应当根据其所用词语的含义来理解。如果权利要求的技术特征已经被对比文件全部公开，且本领域技术人员根据两者的技术方案可以确定两者能够适用于相同的技术领域，解决相同的技术问题，并具有相同的预期效果，则认为两者为同样的发明。英特尔公司认为931.5号FinFET专利的权利要求8、10、14相对于证据1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，请求宣告本专利权利要求8、10、14无效。而英特尔公司提交的证据1恰好是中科院微电子所于2011年5月6日申请，2012年11月7日公开的CN102768957A“鳍式场效应晶体管及其制造方法”发明专利。合议组认为，权利要求8、10、14的全部技术特征都已被证据1公开，相对于证据1不具有新颖性。
2021年9月，国知局发布第51731号无效宣告请求审查决定，针对英特尔公司最新的2020年12月4日提起的无效宣告请求，决定维持931.5号FinFET专利权。英特尔公司主张931.5号FinFET专利权1-7不具有创造性，其中权1不具备创造性、权2-6的附件技术特征被对比文件公开，权7的附加技术特征被公开或者是公知常识，为此英特尔公司又提交了19份证据。合议组审理后认为，在判断发明的创造性时，应当对现有技术的技术方案进行整体考量，如果最接近的现有技术所要解决的技术问题、采用的技术手段与本发明完全不同，其他现有技术也未给出相关的技术启示，使得本领域技术人员不能显而易见地在最接近的现有技术的基础上结合其他现有技术得到本发明的技术方案，则该技术方案具备创造性；在将发明与最接近的现有技术进行对比时，如果存在多个区别技术特征，但是该多个技术特征之间紧密联系，相互依存，共同作用解决同一技术问题，并产生关联的技术效果，则应当将该多个区别技术特征作为一个区别技术特征整体考虑。最终维权专利权有效。
截止到2021年9月，英特尔公司在专利无效侧作出努力，虽然无效掉了931.5号FinFET专利的部分权利要求，但是专利在权1-7有效的情况下最终被国知局维持。
前路未知：转机还是危机？
事实上，在国知局发布的第一份无效决定书后，英特尔公司就因不服国知局第38936号无效决定，向北京知识产权法院提起行政诉讼，请求撤销维持专利权有效的审查决定并重新作出审查决定。北京知识产权法院对该案进行审理后认为，涉案专利具备新颖性和创造性，判决驳回了英特尔公司提出的诉讼请求。英特尔公司不服一审判决，上诉至最高院，最高院于2022年4月25日开庭审理。
二审的争议焦点还是在于涉案专利是否具有新颖性和创造性，本领域技术人员会否受到对比文件中的技术方案的启示去解决涉案专利器件中的问题。
英特尔公司上诉主张，涉案专利的技术方案和技术特征已被对比文件公开，本领域技术人员在对比文件的基础上能够容易地想到涉案专利的制作工艺，因此涉案专利不具备新颖性和创造性。
国家知识产权局二审辩称：对比文件未公开权利要求中的制作步骤，而且在现有技术没有给出明确指引的前提下，本领域技术人员没有动机直接用MOS平面器件中的技术手段来解决涉案专利FinFET器件中“栅极线之间的切口存在而造成的侧墙电介质填充空洞”的问题。
中科院微电子所二审述称：一是英特尔公司对对比文件的解读缺乏中立、客观，且对比文件也未公开或教导涉案专利独立权利要求的区别技术特征，因此涉案专利具有新颖性。二是被诉决定有关创造性的评述方法合理合法，且对比文件与涉案专利所解决的技术问题并不相同，所公开的技术特征仅涉及权利要求中的其中一个，因此涉案专利具备创造性。一审判决和被诉决定关于涉案专利相对于现有技术具备新颖性和创造性的结论正确。
在这次与中科院微电子所的专利交锋中，英特尔公司无效掉了931.5号FinFET专利一半的权利要求，在国内的几次无效宣告中不断提交新的对比文件证据，并同步在美国也提起了对同族专利的无效程序，对涉案专利的美国同族专利也发起了两次专利无效程序（IPR程序）。但美国专利商标局驳回了英特尔公司的无效申请、并驳回了其复审和重审请求，美国专利商标局的决定一定程度上表明中科院微电子所的涉案专利权稳定性较高。
FinFET是一种晶体管设计，与普通平面晶体管相比，具有电学性能良好、可扩展性强和兼容性较高等优势，广泛应用于集成电路制造上，因此本次中科院微电子所与英特尔公司的专利纠纷备受业界瞩目。目前，案件还在审理中，最终结论还犹未可知，知产财经将持续关注。
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